Hír

  • Bevezetés az élkibocsátó lézerbe (EEL)

    Bevezetés az élkibocsátó lézerbe (EEL)

    Bevezetés az élkibocsátó lézerbe (EEL) A nagy teljesítményű félvezető lézer kimenetének eléréséhez a jelenlegi technológia az élkibocsátó struktúra használata. Az élkibocsátó félvezető lézer rezonátora a félvezető kristály természetes disszociációs felületéből áll, és a...
    Bővebben
  • Nagy teljesítményű, ultragyors ostyalézer technológia

    Nagy teljesítményű, ultragyors ostyalézer technológia

    Nagy teljesítményű ultragyors ostyalézer technológia A nagy teljesítményű ultragyors lézereket széles körben használják a fejlett gyártásban, az információban, a mikroelektronikában, a biomedicinában, a nemzetvédelemben és a katonai területeken, és a releváns tudományos kutatás létfontosságú a nemzeti tudományos és technológiai innováció előmozdításához...
    Bővebben
  • TW osztályú attoszekundumos röntgenimpulzus-lézer

    TW osztályú attoszekundumos röntgenimpulzus-lézer

    TW osztályú attoszekundumos röntgenimpulzus-lézer A nagy teljesítményű és rövid impulzusidőtartamú attoszekundumos röntgenimpulzus-lézer kulcsfontosságú az ultragyors nemlineáris spektroszkópia és röntgendiffrakciós képalkotás eléréséhez. Az Egyesült Államokban működő kutatócsoport kétlépcsős röntgen szabadelektron-lézerek kaszkádját használta a...
    Bővebben
  • Bevezetés a függőleges üreges felületkibocsátó félvezető lézerbe (VCSEL)

    Bevezetés a függőleges üreges felületkibocsátó félvezető lézerbe (VCSEL)

    Bevezetés a függőleges üreges felületkibocsátó félvezető lézerbe (VCSEL) A függőleges külső üreges felületkibocsátó lézereket az 1990-es évek közepén fejlesztették ki, hogy megoldják a hagyományos félvezető lézerek fejlesztését sújtó kulcsfontosságú problémát: hogyan lehet nagy teljesítményű lézerkimeneteket előállítani...
    Bővebben
  • Második harmonikusok gerjesztése széles spektrumban

    Második harmonikusok gerjesztése széles spektrumban

    Másodrendű harmonikusok gerjesztése széles spektrumban A másodrendű nemlineáris optikai effektusok 1960-as évekbeli felfedezése óta a kutatók széles körű érdeklődését keltették fel. A második harmonikus és frekvenciaeffektusok alapján eddig a szélsőséges ultraibolya tartománytól a távoli infravörös sávig terjedő...
    Bővebben
  • A polarizációs elektrooptikai vezérlést femtoszekundumos lézerírással és folyadékkristályos modulációval valósítják meg

    A polarizációs elektrooptikai vezérlést femtoszekundumos lézerírással és folyadékkristályos modulációval valósítják meg

    A polarizációs elektrooptikai vezérlést femtoszekundumos lézerírás és folyadékkristályos moduláció valósítja meg. Német kutatók új módszert fejlesztettek ki az optikai jelvezérlésre a femtoszekundumos lézerírás és a folyadékkristályos elektrooptikai moduláció kombinálásával. A folyadékkristály beágyazásával...
    Bővebben
  • Változtasd meg a szupererős ultrarövid lézer impulzussebességét

    Változtasd meg a szupererős ultrarövid lézer impulzussebességét

    A szupererős ultrarövid lézer impulzussebességének módosítása A szuper ultrarövid lézerek általában olyan lézerimpulzusokra vonatkoznak, amelyek impulzusszélessége tíz és száz femtoszekundum, csúcsteljesítménye terawatt és petawatt, fókuszált fényintenzitása pedig meghaladja a 1018 W/cm2-t. A szuper ultrarövid lézer és...
    Bővebben
  • Egyetlen foton InGaAs fotodetektor

    Egyetlen foton InGaAs fotodetektor

    Egyetlen foton InGaAs fotodetektor A LiDAR gyors fejlődésével az automatikus járműkövetési képalkotó technológiához használt fényérzékelési technológiával és távolságmérő technológiával is magasabb követelményeket támasztanak, a hagyományos gyenge fényviszonyok között használt detektor érzékenysége és időfelbontása...
    Bővebben
  • Az InGaAs fotodetektor szerkezete

    Az InGaAs fotodetektor szerkezete

    Az InGaAs fotodetektor szerkezete Az 1980-as évek óta a hazai és külföldi kutatók tanulmányozták az InGaAs fotodetektorok szerkezetét, amelyek főként három típusra oszthatók. Ezek az InGaAs fém-félvezető-fém fotodetektor (MSM-PD), az InGaAs PIN fotodetektor (PIN-PD) és az InGaAs Avalanch...
    Bővebben
  • Nagyfrekvenciás extrém ultraibolya fényforrás

    Nagyfrekvenciás extrém ultraibolya fényforrás

    Nagyfrekvenciás extrém ultraibolya fényforrás A kétszínű mezőkkel kombinált utókompressziós technikák nagy fluxusú extrém ultraibolya fényforrást hoznak létre. A Tr-ARPES alkalmazásoknál a fény hullámhosszának csökkentése és a gázionizáció valószínűségének növelése hatékony eszközök...
    Bővebben
  • Előrelépések az extrém ultraibolya fényforrás-technológiában

    Előrelépések az extrém ultraibolya fényforrás-technológiában

    Előrelépések az extrém ultraibolya fényforrás-technológiában Az utóbbi években az extrém ultraibolya nagy felharmonikusú források széles körű figyelmet kaptak az elektrondinamika területén erős koherenciájuk, rövid impulzusidőtartamuk és magas fotonenergiájuk miatt, és különféle spektrális és...
    Bővebben
  • Nagyobb integráltságú vékonyrétegű lítium-niobát elektrooptikai modulátor

    Nagyobb integráltságú vékonyrétegű lítium-niobát elektrooptikai modulátor

    Nagy linearitású elektrooptikai modulátor és mikrohullámú foton alkalmazás A kommunikációs rendszerek növekvő igényeivel a jelek átviteli hatékonyságának további javítása érdekében az emberek fotonokat és elektronokat egyesítenek a kiegészítő előnyök elérése érdekében, és a mikrohullámú fotonikus...
    Bővebben